Cmos優勢物料推選八：CMD130N85A
CMD130N85A是Cmos通過不斷優化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優化溝槽工藝制造而成，典型的特點是，具有更優秀的開關響應時效性，極低的RDSON,低FOM和更優秀的單元一致性。無論是MOS管自身的轉換效率還是能耗都得到優化，成為Cmos綠色發展的又一重要產品。
封裝形式
核心優勢
CMD130N85A是一款擊穿電壓BVDSS=85V，采用柵極被分割改進型溝槽工藝制造的場效應晶體管，在環境溫度為25℃條件下，流過MOS管的漏源電流可達到120A，具有卓越的功率輸送能力。提供TO-252、TO-251兩種封裝，封裝如圖所示。這兩種封裝兼具優秀的散熱設計,保障了其在大電流高功率飽和導通工作條件下的熱管理能力。卓越的功率傳遞能力和優秀的散熱設計使其在無刷電機，電源DC輸出模塊，太陽能蓄電池充放電保護控制器中被廣泛應用，性能可靠穩定。
低優值系數：降低能耗，提升傳遞效率
優值系數FOM=QG×RDSON 可以定性表達MOS管的轉化效率。由表達式右端的QG和RDSON兩項參數可得，FOM是可以反映MOS管自身功率損耗與開關效率的。作為高頻次開關，自身電能損耗和開關響應速度是其性能的關鍵特征。尤其是電池供電電路，低功耗的元器件則更有實際意義。CMD130N85A飽和導通內阻RDSON僅為4.3MΩ,低阻值，無論是靜態待機狀態還是動態工作過程均有效降低了電路中電能損耗和提高了電能的轉換效率。
Cmos半導體是優質的國產半導體企業，生產工藝齊全、設備先進，擁有豐富的MOSFET和其他半導體產品。產品分布廣泛，具有出色的性能和超高的經濟性。
Cmos產品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT，三端穩壓芯片，三極管，二極管等。
Cmos產品應用
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