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900V高壓MOS：CMH12N90

>>CMH50N20詳情頁面

CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專有平面條形DMOS技術，改進了dv/dt能力，非常適合用于高效開關電源。提供優秀的RDS(ON)和低門電荷。非常適合UPS電源、及各類開關切換模式電源。

CMH12N90的主要電氣特性包括： 

高耐壓能力：CMH12N90的耐壓（BVDSS）為900V。

電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）為12A。

雪崩能量：CMH12N90采用Cmos專有的平面條形DMOS技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為722mJ。

低EMI：CMH12N90采用Cmos專有的平面條形DMOS技術，改進了dv/dt能力，應用時具有低EMI的特點。

低熱阻：CMH12N90采用TO-247封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.45℃/W，有很好的散熱能力。 

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMH12N90的導通電阻（RDS(on)）最大為1.1Ω。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗，提高電路的能效，使得在開關電源電路應用中效率更高。

低開關損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優越的開關性能，較小的開關損耗。

CMH12N90 由于其優異的特性，適用于多種高效開關切換電源。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMH12N90中，使其在電路應用中表現出色，在各種高效開關切換類電源應用中，是表現優秀的MOS。