美媒：美國防部擬建下一代半導體制造中心
美媒：美國防部擬建下一代半導體制造中心
來源：參考消息網
參考消息網11月28日報道 據美國《防務新聞》周刊網站11月23日報道，美國國防部高級研究計劃局表示，計劃在明年夏天發(fā)出一份建設合同，在美國建立一個先進微電子制造中心。
報道稱，這個被稱為“下一代微電子制造”的項目將為相關研究和設備提供資金，建立一個國內尖端制造技術原型中心。國防部高級研究計劃局希望借此讓美國半導體工業(yè)基礎處于領先地位。目標是到2029年確立這種能力。
該中心將重點研究三維異質異構集成微系統(tǒng)（3DHI），這是一種先進的微電子制造方法。3DHI研究的前提是，通過集成和封裝不同類芯片器件，制造商可以分解存儲和處理等功能，從而顯著提高性能。
該技術領域不僅可以革新美國的工業(yè)基礎，而且其他國家和地區(qū)都有濃厚的興趣加入。
國防部高級研究計劃局在11月20日的項目公告中表示：“目前，美國沒有具備全面3DHI研發(fā)能力的開放制造中心。預計微電子領域的下一波創(chuàng)新浪潮將來自通過先進封裝集成異質材料、器件和電路的能力，而國防部高級研究計劃局建議建立一個專門針對下一代3DHI的國家級研發(fā)中心。”
今年7月，國防部高級研究計劃局選擇了11個團隊開始進行項目的基礎工作。該機構近日表示，計劃為項目的下兩個階段選擇一個團隊，每個階段的合同金額最高達4.2億美元。
根據合同，被選中的團隊也將為項目提供部分資金。國防部高級研究計劃局計劃在11月28日向業(yè)界簡要通報該項目。
中國大陸和臺灣生產的先進半導體在全球市場占據主導地位。這些關鍵的微系統(tǒng)用于汽車、手機和國防部的主要武器。近年來，人們越來越擔心這些系統(tǒng)過度依賴外國供應鏈。
國防部高級研究計劃局通過“下一代微電子制造”等項目專注于前瞻性技術，這與美國政府覆蓋面更廣泛的芯片法案不同，后者旨在加強國內半導體產業(yè)基礎。國會于2022年通過《美國芯片法案》，相關措施將持續(xù)到2026年，為加強半導體行業(yè)人才培養(yǎng)、研發(fā)和制造提供資金。法案還規(guī)定，投資美國國內制造設施和設備將享受25%的稅收抵免。
報道稱， 芯片法案的重點是在短期內支持美國的供應基礎，而國防部高級研究計劃局在這一領域的努力是面向“下一波創(chuàng)新”。
“下一代微電子制造”項目是這些努力的核心，隸屬于該機構的電子復興計劃2.0，該計劃旨在解決影響美國國家安全和商業(yè)工業(yè)的技術挑戰(zhàn)。
“下一代微電子制造”項目的第一階段將專注于購買設備，創(chuàng)建基礎制造流程，開發(fā)針對3DHI系統(tǒng)的自動化和仿真軟件。第二階段的重點是創(chuàng)建硬件原型、自動化流程和開發(fā)仿真功能。
國防部高級研究計劃局表示：“該項目的最終目標是，在一個并非由聯邦政府擁有和運營的實體的現有設施上建立一個自給自足的3DHI制造中心，并向學術界、政府和行業(yè)用戶開放。”
“衡量項目成功與否的標準是，它能否以合理的成本和周期支持各種高性能3DHI微系統(tǒng)的設計、制造、組裝和測試，從而支持快節(jié)奏的創(chuàng)新研究。”該機構補充道。
