復(fù)旦團(tuán)隊(duì)：近三年內(nèi)二維半導(dǎo)體可能“破局”落地
復(fù)旦團(tuán)隊(duì)：近三年內(nèi)二維半導(dǎo)體可能“破局”落地
作者：楊鵬岳 來(lái)源：中國(guó)電子報(bào)、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
近日，復(fù)旦大學(xué)、紹芯實(shí)驗(yàn)室周鵬/包文中團(tuán)隊(duì)成功研制出全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無(wú)極”，創(chuàng)造了全球二維芯片的最大工程性規(guī)模驗(yàn)證紀(jì)錄。相關(guān)成果已在國(guó)際期刊《自然》上發(fā)表。
隨著摩爾定律逐漸接近物理極限，具有單個(gè)原子層厚度的二維半導(dǎo)體成為破局的關(guān)鍵。如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路是業(yè)界正在探索的方向，其中的核心難題在于，要將這些原子級(jí)精密元件組裝成完整的集成電路系統(tǒng)，依舊受制于工藝精度與規(guī)模勻性的協(xié)同良率控制。值得關(guān)注的是，此次復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)布的成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸，首次實(shí)現(xiàn)了5900個(gè)晶體管的集成度。
據(jù)了解，“無(wú)極”微處理器基于單層二硫化鉬（MoS?）二維半導(dǎo)體材料打造，不依賴于先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，采用自主研發(fā)的特色集成工藝，依托開源簡(jiǎn)化指令集計(jì)算架構(gòu)（RISC-V），實(shí)現(xiàn)了從材料、架構(gòu)到流片的全鏈條自主研發(fā)，其集成工藝優(yōu)化程度和規(guī)模化電路驗(yàn)證結(jié)果，均達(dá)到國(guó)際同期最優(yōu)水平。
復(fù)旦大學(xué)教授周鵬向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，此次成果改變了工業(yè)界的傳統(tǒng)認(rèn)知，證明了新材料應(yīng)用在集成電路上的可行性，并在一些應(yīng)用場(chǎng)景上具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。對(duì)于二維半導(dǎo)體而言，一定要找到它在應(yīng)用上全面超越現(xiàn)有技術(shù)的獨(dú)特的“點(diǎn)”，有了這個(gè)支撐之后，屬于二維半導(dǎo)體或者說(shuō)二維電子學(xué)的時(shí)代才會(huì)真正來(lái)臨。在周鵬看來(lái)，這個(gè)“點(diǎn)”在最近三年里就有可能落地。“未來(lái)人類把晶體管做成什么材料其實(shí)并不確定，不管是產(chǎn)業(yè)界還是學(xué)術(shù)界都應(yīng)該保留探索的空間。”
周鵬表示，當(dāng)前二維半導(dǎo)體微米級(jí)的工藝已能實(shí)現(xiàn)硅基納米級(jí)芯片的功耗水平，未來(lái)通過(guò)產(chǎn)業(yè)化制造將兼具更快速度和更低功耗的優(yōu)勢(shì)。此類二維芯片有望推動(dòng)人工智能更廣泛的應(yīng)用，特別是在無(wú)人機(jī)、機(jī)器人等需要低功耗算力的移動(dòng)端場(chǎng)景。在產(chǎn)業(yè)化方面，團(tuán)隊(duì)將著力推進(jìn)與現(xiàn)有硅基生產(chǎn)制造線的融合，推動(dòng)二維半導(dǎo)體電子器件從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化商業(yè)應(yīng)用。
