隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，各類分立器件應(yīng)用已經(jīng)非常廣泛。金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），以其低功耗、高頻率開關(guān)速度的特點在現(xiàn)代電路中得到大力發(fā)展。但是隨著功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管朝著高頻化發(fā)展，針對場效應(yīng)開關(guān)管的驅(qū)動電路設(shè)計要求也愈來愈高。
CMD8N50是廣東場效應(yīng)半導體有限公司通過調(diào)研市場使用環(huán)境，有針對性的專門開發(fā)的一款高壓小電流型應(yīng)用半導體器件。
CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工藝 N溝槽場效應(yīng)管，其漏源導通電阻RDS(ON)最大僅有3.3MΩ，其中關(guān)鍵性能指標／品質(zhì)因數(shù)（FOM）的優(yōu)化降低使其自身能量傳送效率大幅提高。
CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場效應(yīng)管，這種工藝典型特點是抗沖擊能力強和參數(shù)一致性表現(xiàn)好。
CMSA030N04是Cmos有一款采用PDFN封裝的 N溝道的MOSFET。為了拓展客戶實際應(yīng)用電路物料的兼容性，PDFN封裝可以和SOP-8封裝互相替代
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