CMD60R180S6ZD是采用Cmos先進(jìn)的超級(jí)結(jié)工藝開發(fā)的一款N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），其特點(diǎn)具有高頻特性好，反向快恢復(fù)時(shí)間短，并且具有HBM>2kV的靜電或浪涌防護(hù)能力等。
CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用Cmos先進(jìn)的SGT工藝制成，具有高頻特性好，轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)。
CMP034N06是一款高性能的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)的SGT工藝制成，具有優(yōu)秀的電特性，適用于車載電子、電動(dòng)工具、LED照明、不間斷電源等大功率、高效率的開關(guān)場(chǎng)景。
CMB011N04L-7是一款高性能的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)的SGT工藝制成，適用于高功率、高效率的開關(guān)場(chǎng)景。
CMSC3812是采用Cmos先進(jìn)溝槽工藝開發(fā)的一款雙N溝道低壓增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,具有30V漏源電壓（VDS）,常溫條件下20A漏極電流（ID）,具備能瞬間抵抗高達(dá)80A的高脈沖電流沖擊性。
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